المغنطرون الاخرق

الرش هو شكل آخر من أشكال تقنية ترسيب البخار الفيزيائي.
ما هي تقنية الاخرق؟
الاخرق هو طريقة أخرى لتقنية الترسيب الفيزيائي للبخار ، وعملية الاخرق هي تقنية تقصف فيها الأيونات سطح الهدف لجعل المادة المستهدفة يتم قصفها. يتم تعبئة الغاز الخامل ، مثل الأرجون ، في حجرة التفريغ. وباستخدام الجهد العالي ، يتم إنشاء تفريغ توهج لتسريع الأيونات إلى سطح الهدف. تقذف أيونات الأرجون (تطاير) المادة المستهدفة من السطح. ترسب على قطعة العمل ، عادةً ما يتم استخدام غازات أخرى ، مثل النيتروجين والأسيتيلين ، للتفاعل مع المادة المستهدفة المرشوشة لتشكيل فيلم مركب. يمكن أن تقوم تقنية الاخرق بتحضير مجموعة متنوعة من الطلاءات ، ولها مزايا عديدة في الطلاءات الزخرفية (مثل Ti ، Cr ، Zr و Carbonitride) ، لأن الطلاء المحضر بواسطته يكون سلسًا للغاية ، مما يجعل تقنية الاخرق مستخدمة على نطاق واسع. ترايبولوجي لسوق السيارات (على سبيل المثال ، CrN و Cr2N وطلاء مختلف يشبه الماس (DLC)). تقصف الأيونات عالية الطاقة الهدف وتستخرج الذرات وتحولها إلى حالة غازية ، وباستخدام تقنية رش المغنطرون ، يمكن رش عدد كبير من المواد.

مزايا تقنية الاخرق:
+ الهدف هو تبريد الماء لتقليل الإشعاع الحراري
+ يمكن رش أي مادة معدنية تقريبًا بدون تحلل
+ يمكن أيضًا رش المواد العازلة باستخدام طاقة RF أو IF
+ تحضير الأكاسيد ممكن (الاخرق التفاعلي)
+ تجانس طلاء جيد
+ طلاء ناعم للغاية (لا تقطر)
+ يمكن وضع كاثود (يصل طوله إلى 2 متر) في أي موضع ، مما يزيد من مرونة تصميم المعدات

عيوب تقنية الاخرق:
- معدل ترسيب أقل مقارنة بتقنية القوس
- كثافة البلازما أقل (~ 5٪) مقارنة بالقوس ، وانخفاض التصاق الطلاء وكثافة الطلاء

هناك العديد من أشكال تقنية الرش ، هنا سنشرح بعضها ، وكلها يمكن تحقيقها على معدات الطلاء بالفراغ التي تنتجها Dingyi Vacuum Technology.

+ يستخدم رش المغنطرون مجالًا مغناطيسيًا للحفاظ على البلازما أمام الهدف ، ويقوي قصف الأيونات ، ويزيد من كثافة البلازما.

+ الاخرق UBM هو اختصار لاخرق المغنطرون غير المتوازن. استخدم ملفات المجال المغناطيسي المحسنة لتكثيف كثافة البلازما بالقرب من قطعة الشغل. يمكن الحصول على طلاء أكثر كثافة. يتم استخدام طاقة أعلى في عملية UBM ، وبالتالي ستزداد درجة الحرارة وفقًا لذلك.

+ يستخدم ترشيش الحقل المغلق توزيع المجال المغناطيسي لحصر البلازما في حقل مغلق. يقلل من فقدان المواد المستهدفة إلى غرفة التفريغ ويجعل البلازما أقرب إلى قطعة العمل. يمكن الحصول على طلاءات كثيفة والحفاظ على غرفة التفريغ نظيفة نسبيًا.

+ ترشاش الهدف المزدوج (DMS) هو التقنية المستخدمة في ترسيب الطلاءات العازلة. يتم تطبيق التيار المتردد (AC) على اثنين من الكاثودات بدلاً من التيار المباشر (DC) بين الكاثودات وغرفة التفريغ. هذا يجعل الهدف التنظيف الذاتي. يتم استخدام رش المغنطرون مزدوج الهدف لترسيب طلاءات الأكسيد على سبيل المثال بسرعة عالية.

+ HIPIMS + (رش المغنطرون النبضي ذو الطاقة العالية) يستخدم مصدر طاقة نبضي عالي لزيادة معدل تأين المادة المرشوشة. تجمع الطلاءات المحضرة باستخدام HIPIMS + بين مزايا كل من تقنيات القوس والرش. يشكل HIPIMS + طلاءات كثيفة مع التصاق جيد للطلاء ، ولكن أيضًا طلاءات ناعمة وخالية من العيوب.