真空镀膜机溅射溅射工艺介绍

发布时间:2023-03-03浏览量:1711

        真空镀膜机溅射溅射工艺主要用于溅射刻蚀和薄膜沉积两个方面。溅射刻蚀时,被刻蚀的材料置于靶极位置,受氩离子的轰击进行刻蚀。刻蚀速率与靶极材料的溅射产额、离子流密度和溅射室的真空度等因素有关。溅射刻蚀时,应尽可能从溅射室中除去溅出的靶极原子。


 

         常用的方法是引入反应气体,使之与溅出的靶极原子反应生成挥发性气体,通过真空系统从溅射室中排出。沉积薄膜时,溅射源置于靶极,受氩离子轰击后发生溅射。如果靶材是单质的,则在衬底上生成靶极物质的单质薄膜;若在溅射室内有意识地引入反应气体,使之与溅出的靶材原子发生化学反应而淀积于衬底,便可形成靶极材料的化合物薄膜。通常,制取化合物或合金薄膜是用化合物或合金靶直接进行溅射而得。在溅射中,溅出的原子是与具有数千电子伏的高能离子交换能量后飞溅出来的,其能量较高,往往比蒸发原子高出1~2个数量级,因而用溅射法形成的薄膜与衬底的粘附性较蒸发为佳。若在溅射时衬底加适当的偏压,可以兼顾衬底的清洁处理,这对生成薄膜的台阶覆盖也有好处。


 

        另外,用溅射法可以制备不能用蒸发工艺制备的高熔点、低蒸气压物质膜,便于制备化合物或合金的薄膜。溅射主要有离子束溅射和等离子体溅射两种方法。离子束溅射装置中,由离子枪提供一定能量的定向离子束轰击靶极产生溅射。离子枪可以兼作衬底的清洁处理和对靶极的溅射。为避免在绝缘的固体表面产生电荷堆积,可采用荷能中性束的溅射。中性束是荷能正离子在脱离离子枪之前由电子中和所致。离子束溅射广泛应用于表面分析仪器中,对样品进行清洁处理或剥层处理。由于束斑大小有限,用于大面积衬底的快速薄膜淀积尚有困难。



 
        等离子体溅射也称辉光放电溅射。产生溅射所需的正离子来源于辉光放电中的等离子区。靶极表面必须是一个高的负电位,正离子被此电场加速后获得动能轰击靶极产生溅射,同时不可避免地发生电子对衬底的轰击。


 

        真空镀膜机磁控溅射工艺,也分好几种,主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等,选择哪一种溅射方法,具体要看镀什么工件,工件是什么材质,镀什么膜层而决定


 

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